[发明专利]一种碳化硅双极结型晶体管在审
| 申请号： | 201610353260.6 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105870176A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张有润;郭飞;施金飞;刘影;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/24;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于高功率半导体技术领域，具体的说涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明主要通过在BJT的发射极1边缘与基极欧姆接触之间的外基区设置第二P+层9，第二P+层9为P型重掺杂层，可通过离子注入工艺形成，因为P性基区4位P型轻掺杂层，第二P+层9与P型基区4之间会形成一个由轻掺杂层指向重掺杂层的电场，该电场会阻止基区少子(电子)向外基区表面扩散，减小了外基区表面的电子浓度，降低了电子与空穴的复合率，减小界面态所导致的复合电流，从而提高器件的电流增益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 双极结型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种碳化硅双极结型晶体管，包括N+衬底(6)、位于N+衬底(6)下表面的集电极(7)、位于N+衬底(6)上表面的N‑集电区(5)和位于N‑集电区(5)上表面的P型基区(4)；所述P型基区(4)的上表面两端分别具有N+发射区(3)和基极(2)，所述N+发射区(3)上表面具有发射极(1)，所述基极(2)的下表面具有第一P+层(8)，所述第一P+层(8)位于基极(2)的正下方；其特征在于，所述N+发射区(3)与基极(2)之间的P型基区(4)上层具有第二P+层(9)。
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