[发明专利]一种超结半导体器件终端结构有效
| 申请号： | 201610353060.0 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106024859B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 乔明;章文通;黄琬琰;余洋;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于纵向超结半导体器件技术领域，具体的说涉及一种超结半导体器件终端结构。本发明的终端结构，第一种导电类型半导体漂移条宽度可调节，达到从元胞区到边界的一个渐变，使终端电荷能够更好的平衡，从而提高器件耐压；其次本发明的第二种导电类型表面掺杂区一直将第二种导电类型的半导体柱覆盖，并向边界有一段延伸，以保证完全覆盖两种类型半导体漂移区的交界位置，降低表面尖峰电场，第二种导电类型表面掺杂区内第一种导电类型表面掺杂区向下提供正电荷中心，进一步降低器件表面电场，从而降低超结终端表面发生击穿的几率，提高器件的整体耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
1.一种超结半导体器件终端结构，包括第一种导电类型半导体衬底(1)和位于第一种导电类型半导体衬底(1)上表面的第一种导电类型半导体漂移区(11)；所述第一种导电类型半导体漂移区(11)中具有多个第二种导电类型半导体漂移区(21)，第一种导电类型半导体漂移区(11)和第二种导电类型半导体漂移区(21)交替排列设置，形成多个垂直于第一种导电类型半导体衬底(1)表面的PN结；所述第一种导电类型半导体漂移区(11)上层一端具有第二种导电类型元胞区延伸阱(23)，第二种导电类型元胞区延伸阱(23)下表面与一个第二种导电类型半导体漂移区(21)的上表面连接；第二种导电类型元胞区延伸阱(23)的部分上表面具有金属电极(41)，第一种导电类型半导体漂移区(11)的上表面和第二种导电类型元胞区延伸阱(23)的部分上表面具有绝缘层(31)，金属电极(41)和绝缘层(31)连接；其特征在于，相邻的第二种导电类型半导体漂移区(21)之间的间距，从靠近第二种导电类型元胞区延伸阱(23)一侧到远离第二种导电类型元胞区延伸阱(23)一侧逐渐增加；在第二种导电类型半导体漂移区(21)顶部与绝缘层(31)之间具有第二种导电类型表面掺杂区(22)；在第二种导电类型表面掺杂区(22)顶部与绝缘层(31)之间具有第一种导电类型表面掺杂区(12)；所述第一种导电类型表面掺杂区(12)的一端与第二种导电类型元胞区延伸阱(23)接触，另一端向远离第二种导电类型元胞区延伸阱(23)的一侧延伸直至超过最后一个第二种导电类型半导体漂移区(21),且第二种导电类型表面掺杂区(22)在靠近第二种导电类型元胞区延伸阱(23)的一侧的端面与第一种导电类型表面掺杂区(12)的端面沿器件垂直方向齐平，另一端向远离第二种导电类型元胞区延伸阱(23)的一侧延伸直至超过第一种导电类型表面掺杂区(12)的另一个端面；所述第一种导电类型表面掺杂区(12)位于第二种导电类型表面掺杂区(22)内与绝缘层(31)相邻，呈断续分布在表面。
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