[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610350859.4 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105870275B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 舒立明;高文浩;刘晓峰;叶大千;张东炎;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管由下至上依次包括N型层、发光层、电子阻挡层、P型层；其中电子阻挡层由下至上依次为AlGaN层、三维P型氮化镓插入层、二维AlGaN合并层。所述发光二极管的电子阻挡层在实现了电子有效阻挡的同时避免了P型AlGaN层中Mg掺活化效率低问题，三维P型氮化镓设计形成的锥状结构形成了非规则的势垒低谷，同时P型锥状结构对空穴注入效率具有一定的放大、加速功效，提升了空穴注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.发光二极管，包括N型层、发光层、电子阻挡层和P型层，其特征在于：所述电子阻挡层由下至上依次为AlGaN层、三维P型氮化镓插入层、二维AlGaN合并层，所述三维P型氮化镓插入层形成非规则的势垒低谷，所述电子阻挡层中AlGaN层Al组分高于二维AlGaN合并层中Al组分。
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