[发明专利]纳米锡化物多有源层结构高性能晶体管有效
申请号: | 201610349382.8 | 申请日: | 2016-05-23 |
公开(公告)号: | CN105977286B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 赵灵智;姜如青 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/786 |
代理公司: | 北京献智知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11434 | 代理人: | 杨献智 |
地址: | 510631 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种纳米锡化物多有源层结构高性能晶体管,包括:半导体基底、间隔形成于半导体基底上的栅电极和栅绝缘层、间隔形成于栅绝缘层上的源电极和漏电极、以及形成于栅绝缘层上且位于源电极和漏电极之间的有源层,有源层包括至少二层有源单层以及至少一层绝缘单层,有源单层与绝缘单层由下至上交替层叠设置。该纳米锡化物多有源层结构高性能晶体管利用有源层多层结构至下而上厚度呈递减且中间加有绝缘层的方法来减小器件的寄生电阻和漏电流,以提高器件的开关电流比和电学稳定性。 | ||
搜索关键词: | 纳米 锡化物多 有源 结构 性能 晶体管 | ||
【主权项】:
一种纳米锡化物多有源层结构高性能晶体管,包括:半导体基底、间隔形成于所述半导体基底上的栅电极和栅绝缘层、间隔形成于所述栅绝缘层上的源电极和漏电极、以及形成于所述栅绝缘层上且位于所述源电极和所述漏电极之间的有源层,其特征在于,所述有源层包括至少二层有源单层以及至少一层绝缘单层,所述有源单层与所述绝缘单层由下至上交替层叠设置。
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