[发明专利]平面GaAs倍频二极管在太赫兹频段的建模方法在审
| 申请号： | 201610348058.4 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN106023306A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;冯志红;杨大宝;邢东;梁士雄;张立森;赵向阳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G06T17/00 | 分类号： | G06T17/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面GaAs倍频二极管在太赫兹频段的建模方法，涉及特别适用于特定功能的数字计算设备或数据处理设备或数据处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤：通过直流测试参数提取以及经验公式计算肖特基二极管的零偏结电容，在ADS模拟软件中建立起肖特基二极管的非线性结模型；在高频结构电磁场仿真软件中，建立完成所述肖特基二极管的三维电磁仿真结构模型；以非线性结模型和三维电磁仿真结构模型为基础，设计所需应用频率的倍频器模块；以测试数据修正已经建立的所述肖特基二极管的非线性结模型。所述方法利用基于测量的经验公式对模型进行描述，同时根据实际测试结果，修正其中的经验公式，因此模型更加精准。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 gaas 倍频 二极管 赫兹 频段 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种平面GaAs倍频二极管在太赫兹频段的建模方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：1）根据设计版图查看GaAs基倍频肖特基二极管的阳极直径，同时查看GaAs基倍频肖特基二极管在实际流片测试过程中阳极尺寸大小，根据扫描电镜测试的尺寸结果，以及经验公式计算所述肖特基二极管的零偏结电容；2）对加工完成的GaAs基倍频肖特基二极管进行直流测试，获得GaAs基倍频肖特基二极管在直流测试中的电流电压数据，根据电流电压数据，结合零偏结电容的计算，在ADS模拟软件中建立起肖特基二极管的非线性结模型；3）结合GaAs基倍频肖特基二极管的设计版图和加工工艺，在高频结构电磁场仿真软件中，建立完成所述肖特基二极管的三维电磁仿真结构模型；4）以步骤2）建立的所述二极管的非线性结模型和步骤3）建立的所述二极管的三维电磁仿真结构模型为基础，设计所需应用频率的倍频器模块；5）对设计的倍频器进行测试，以测试数据修正已经建立的所述肖特基二极管的非线性结模型，并使用修正后的二极管的非线性结模型结合步骤3）中的三维电磁仿真结构模型，建立新的所需应用频率的倍频器模块。
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