[发明专利]一种红外图像传感器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种红外图像传感器，包括：P型硅衬底，在所述P型硅衬底上形成的CMOS，在所述P型硅衬底上形成的红外光电二极管，所述红外光电二极管包括硫化锌层和位于所述硫化锌层上方的碲镉汞层。本发明的红外图像传感器中，将硫化锌、碲镉汞薄膜先后沉积于硅衬底表面形成的深沟槽内，形成可探测红外光波的红外光电二极管，结合了传统硅基技术上的大规模集成电路制造、以及先进的红外探测器原理，给出可以实现高度集成、低成本的红外图像传感器，从而可以制备消费电子类的红外摄像器，本装置集成度高、加工成本低、稳定性好、适合大规模的生产。

主权项

1.一种红外图像传感器，其特征在于，包括：P型硅衬底(1)，在所述P型硅衬底(1)上形成的CMOS(2)，在所述P型硅衬底(1)上形成的红外光电二极管(3)；所述CMOS(2)包括由栅氧层(211)和栅极多晶硅(212)组成的栅极(21)、由源极离子组成的源极(22)、由漏极离子组成的漏极(23)；所述红外光电二极管(3)包括硫化锌层(31)、位于所述硫化锌层(31)上方的碲镉汞层(32)；所述硫化锌层(31)连接有第一电极(33)，所述碲镉汞层(32)连接有第二电极(34)。