[发明专利]p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201610338044.4 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105977165B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张新安;郑海务;杨光;刘献省;李爽;张伟风 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L21/477 | 分类号： | H01L21/477;H01L21/34;H01L29/24 |
| 代理公司： | 郑州德勤知识产权代理有限公司 41128 | 代理人： | 黄军委;白毅明 |
| 地址： | 475004 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法，包括以强氧化性的硝酸铜为溶质，以乙酰丙酮、甘氨酸、尿素或柠檬酸为络合剂配置前驱体溶液；然后利用所述前驱体溶液在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm～50 nm的p型氧化铜薄膜并对其进行退火处理；最后在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极，从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。该方法制备过程中会自主释放出大量的热能，使缩合化反应和致密化过程在较低的温度下和较短的时间内发生从而制得电学性能稳定的p型氧化铜薄膜，该方法工艺简单、原料易得。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铜薄膜 晶体管 前驱体溶液 制备 二氧化硅绝缘层 致密化过程 柠檬酸 电学性能 贵金属层 强氧化性 退火处理 乙酰丙酮 制备过程 甘氨酸 络合剂 硝酸铜 重掺杂 衬底 漏极 溶质 缩合 源极 蒸镀 尿素 释放 配置 | ||
【主权项】：
1.一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一种铜离子浓度为0.02 mol/L～0.06 mol/L的硝酸铜有机溶液；然后向所述硝酸铜有机溶液中加入络合剂进行混合制得前驱体溶液，其中所述络合剂为乙酰丙酮、甘氨酸、尿素、柠檬酸中的一种或几种的组合；将所述前驱体溶液分多次旋涂在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm～50 nm的p型氧化铜薄膜；然后在260℃～300℃温度下对其进行退火4小时～6小时；其中，每次旋涂后均需在260℃～300℃进行热处理15分钟～30分钟；采用热蒸发镀膜法在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极，从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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