[发明专利]半导体基板及半导体板制作方法在审
| 申请号： | 201610335492.9 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107403778A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 胡川 | 申请（专利权）人： | 胡川 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/48 |
| 代理公司： | 广州番禺容大专利代理事务所(普通合伙)44326 | 代理人： | 刘新年 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义乌市稠江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及提供一种半导体基板及芯片制作方法，其中半导体基板包括用于制作电路的半导体层、隔离层、和预留被消减厚度的辅助层；半导体层、隔离层、辅助层依次层叠设置，辅助层的厚度大于半导体层的厚度。采用所述的半导体基板的芯片制作方法，包括电路制作过程，在所述半导体基板的半导体层上制作电路；降低厚度过程，对辅助层进行磨削或者蚀刻，消减辅助层的厚度，使半导体基板整体的厚度减小而获得电路基板；封装过程，电路基板进行封装获得芯片。在半导体层上制作电路时，辅助层为半导体层提供辅助支撑，半导体层不易变形，可以保证半导体电路的性能；不再需要辅助层做辅助支撑时，消减辅助层的厚度，使电路基板的厚度大幅下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，其特征在于，包括：半导体层、隔离层、和预留被消减厚度的辅助层；其中，所述半导体层、所述隔离层以及所述辅助层依次层叠设置，所述辅助层的厚度大于所述半导体层的厚度。
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