[发明专利]具有高可靠性金属氧化物半导体材料的薄膜晶体管基板

摘要

本公开内容涉及一种具有包括金属氧化物半导体材料的高可靠性氧化物半导体材料的薄膜晶体管基板。一种薄膜晶体管基板，包括：基板；设置在基板上的栅极电极；包括氧化物半导体材料的半导体层，所述氧化物半导体材料结合有铟、镓和锌中的一或多个、氧和掺杂材料。所述掺杂材料可以是15族或16族气体元素。所述半导体层具有经由栅极绝缘层与栅极电极重叠的沟道区域、从沟道区域的一侧延伸的源极区域、从沟道区域的另一侧延伸的漏极区域、连接至源极区域的源极电极、以及连接至漏极区域的漏极电极。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，包括：基板；设置在所述基板上的栅极电极；半导体层，所述半导体层包括：沟道区域，所述沟道区域的至少一部分与所述栅极电极重叠且包括第一氧化物半导体材料，所述第一氧化物半导体材料是氧、作为掺杂材料的氮、以及铟、镓和锌的组合，其中所述第一氧化物半导体材料包含氧空位，其中氮粒子占据所述氧空位的60％到80％；从所述沟道区域的一侧延伸的源极区域；以及从所述沟道区域的另一侧延伸的漏极区域；位于所述栅极电极和所述半导体层之间的栅极绝缘层；连接至所述源极区域的至少一部分的源极电极；以及连接至所述漏极区域的至少一部分的漏极电极，其中所述掺杂材料在所述第一氧化物半导体材料中为1到5原子％，其中通过在用于形成所述第一氧化物半导体材料的溅射工艺期间提供氮气来将所述氮引入所述第一氧化物半导体材料。