[发明专利]一种高真空变温有机半导体器件测量腔在审
| 申请号： | 201610329672.6 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107403741A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 彭应全;许昆;吕文理 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 730000 甘肃省兰州市城*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种高真空变温有机半导体器件测量腔，其特征是它由腔体、低温样品台、高温样品台和抽真空系统组成。其中抽真空系统与腔体相连，为其提供高真空度。低温样品台(低于室温)和高温样品台(高于室温)置于腔体之内。低温样品台采用半导体制冷片产生低温，由温度控制器实现‑50℃至室温的温度变化。高温样品台的高温(高于室温)由电加热器产生，经温度控制器实现室温至500℃的温度变化。腔体上具有多路气体输入口，它们与微调阀配合，可有效且可控地改变测量腔内的气氛种类和压力，实现不同气氛下对有机半导体器件的测量；腔体配备多电极法兰，用于电信号及电源的输入和输出；腔体配备石英窗作为入射和出射光的窗口及观察窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 有机 半导体器件 测量 | ||
【主权项】：
一种高真空变温有机半导体器件测量腔，它由腔体、低温样品台、高温样品台和抽真空系统组成，抽真空系统与腔体相连，为其提供高真空度；低温样品台和高温样品台置于腔体内之内，分别为处于真空环境的样品提供低温(低于室温)和高温(高于室温)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
