[发明专利]一种具有p-i-n隧道结的多有源区发光二极管有效
| 申请号： | 201610328031.9 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105977349B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张雄;王肖磊;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有p‑i‑n隧道结的多有源区发光二极管，该二极管由下至上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、n型氮化物层、第一发光区、p‑i‑n隧道结、第二发光区、和氧化铟锡导电层；其中第一发光区由第一有源区、第一p型氮化物电子阻挡层和第一p型氮化物空穴注入层组成，第二发光区由第二有源区、第二p型氮化物电子阻挡层和第二p型氮化物空穴注入层组成。本发明实现了多有源区发光，不仅可以降低电极接触带来的电迁移问题，还能有效减小传统隧道结工作时内部耗尽区的宽度，从而减小电子隧穿的距离，增加电子隧穿的几率，并可有效缓解传统重掺杂隧道结引起的晶格失配，提高器件的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 隧道 有源 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有p‑i‑n隧道结的多有源区发光二极管，其特征在于，该二极管由下至上依次包括衬底(101)、氮化物成核层(102)、氮化物缓冲层(103)、n型氮化物层(104)、第一发光区(105)、p‑i‑n隧道结(106)、第二发光区(107)、和氧化铟锡导电层(108)；其中第一发光区(105)由第一有源区(1051)、第一p型氮化物电子阻挡层(1052)和第一p型氮化物空穴注入层(1053)组成，第二发光区(107)由第二有源区(1071)、第二p型氮化物电子阻挡层(1072)和第二p型氮化物空穴注入层(1073)组成；在n型氮化物层和ITO导电层上分别设置n电极(109)和p电极(110)。
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