[发明专利]超浅结退火方法有效
| 申请号： | 201610327931.1 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105977153B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 雷海波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超浅结退火方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的正面具有多个器件结构，使得所述半导体衬底的正面凹凸不平；在所述半导体衬底的正面形成一非晶碳层和一覆盖层，所述非晶碳层完全覆盖所述多个器件结构，所述覆盖层覆盖所述非晶碳层；对所述半导体衬底进行正面快速热退火或背面快速热退火。本发明中，由于非晶碳层较高的热吸收系数，并同时作为半导体衬底的散热体，从而把热源的热能更加均匀的分散在半导体衬底上。使得半导体衬底中的器件结构受热更加均匀，退火温度更加均匀，从而提高半导体衬底上器件结构的性能。此外，在非晶碳层上形成的覆盖层可以防止非晶碳材料污染腔体以及腔体中的其他的半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 超浅结 退火 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超浅结退火方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的正面具有多个器件结构，使得所述半导体衬底的正面凹凸不平；在所述半导体衬底的正面形成一非晶碳层和一覆盖层，所述非晶碳层完全覆盖所述多个器件结构，所述覆盖层覆盖所述非晶碳层，其中，所述非晶碳层的厚度为300nm～600nm，所述覆盖层的厚度为50nm～100nm；对所述半导体衬底进行正面快速热退火或背面快速热退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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