[发明专利]一种平面TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201610327914.8 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN106018022B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈强;邱燕蓉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种平面TEM样品的制备方法，包括：步骤S1：将样品之截面制备至接近目标区域；步骤S2：将样品以截面为上，呈纵向放入聚焦离子束系统；步骤S3：根据位于硅化物之面向硅基衬底一侧的多晶硅厚度，控制聚焦离子束之电压，将所述多晶硅切割至预设剩余厚度，并使得预设剩余厚度之多晶硅恰好全部非晶化；步骤S4：对样品之异于非晶化的一侧进行背减至平面TEM样品厚度；步骤S5：完成平面TEM样品的制备。本发明通过控制聚焦离子束之电压，将多晶硅切割至预设剩余厚度，并使得在聚焦离子束之电压下，预设剩余厚度之多晶硅恰好全部非晶化，故基于多晶硅之杂乱的晶粒衬度影响硅基衬底上晶体管沟道中晶格缺陷的判断之缺陷便可避免。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面TEM样品的制备方法，其特征在于，所述平面TEM样品的制备方法，包括：执行步骤S1：将样品之截面制备至接近目标区域；执行步骤S2：将截面已制备至接近目标区域的样品，以截面为上，呈纵向放入聚焦离子束系统；执行步骤S3：根据位于硅化物之面向硅基衬底一侧的多晶硅的厚度，控制聚焦离子束之电压，将所述多晶硅切割至预设剩余厚度，并使得在所述聚焦离子束之电压下，所述预设剩余厚度之多晶硅恰好全部非晶化；执行步骤S4：对样品之异于所述非晶化的一侧进行背减至平面TEM样品厚度；执行步骤S5：完成平面TEM样品的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610327914.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
