[发明专利]减少零层对准光罩使用的方法

摘要

一种减少零层对准光罩使用的方法，包括：生长垫氧层和氮化硅层，在氮化硅层上布置第一光阻层，在第一光阻层上针对零层对准图形区和闪存阵列N阱区进行曝光显影；利用第一光阻层进行闪存阵列N阱离子注入以形成闪存阵列N阱；利用第一光阻层形成氮化硅硬掩模层的沟槽，并利用氮化硅硬掩模层进行闪存阵列离子注入；布置第二光阻层，以氮化硅硬掩模层沟槽作为对准标志在第二光阻层上针对深N阱离子注入图形区进行曝光显影，通过干法刻蚀以不同步骤调节刻蚀选择比，在第二光阻层上针对零层对准图形区形成切割道沟槽，在深N阱离子注入图形区去除氮化硅硬掩模层后使刻蚀终止在垫氧层；利用第二光阻层进行深N阱区离子注入以形成深N阱区。

主权项

一种减少零层对准光罩使用的方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上依次生长垫氧层和氮化硅硬掩模层，并且在氮化硅硬掩模层上布置第一光阻层，然后在第一光阻层上针对零层对准图形区和闪存阵列N阱区进行曝光显影；第二步骤：利用第一光阻层作为阻挡层进行闪存阵列N阱离子注入以形成闪存阵列N阱；第三步骤：利用第一光阻层形成氮化硅硬掩模层的沟槽，此后去除第一光阻层，随后利用图案化的氮化硅硬掩模层进行闪存阵列离子注入来调节闪存阈值电压；第四步骤：布置第二光阻层，以已形成的氮化硅硬掩模层沟槽作为对准标志在第二光阻层上针对深N阱离子注入图形区进行曝光显影，然后通过干法刻蚀以不同步骤调节刻蚀选择比，在第二光阻层上针对零层对准图形区形成切割道沟槽，同时在深N阱离子注入图形区去除氮化硅硬掩模层后使刻蚀终止在垫氧层；第五步骤：利用第二光阻层作为阻挡层进行深N阱区离子注入以形成深N阱区；第六步骤：去除第二光阻层和氮化硅硬掩模层。