[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及薄膜晶体管制作方法有效
| 申请号： | 201610327597.X | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105826250B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 黎午升;曹占锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及薄膜晶体管制作方法，属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括：基板、设置于所述基板上且经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层、设置于所述第一金属氧化物薄膜层上且未经过退火处理的第二金属氧化物薄膜层以及设置于所述第二金属氧化物薄膜层上的源电极和漏电极。解决了退火处理的金属氧化物与漏源极接触产生肖特基电阻，导致薄膜晶体管稳定性下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板、设置于所述基板上且经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层、设置于所述第一金属氧化物薄膜层上且未经过退火处理的第二金属氧化物薄膜层以及设置于所述第二金属氧化物薄膜层上的源电极和漏电极，所述第一金属氧化物薄膜层和所述第二金属氧化物薄膜层均为铟镓锌氧化物薄膜层，所述第二金属氧化物薄膜层为表面经过氢等离子处理或氢掺杂处理的金属氧化物薄膜层，所述表面为所述第二金属氧化物薄膜层朝向所述源电极和漏电极的一面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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