[发明专利]一种移位寄存器和发光控制电路

摘要

一种移位寄存器，所述移位寄存器包括：第一输入时钟端口、第二输入时钟端口、信号输入端口、信号输出端口；多个P沟道薄膜晶体管，包括第一P沟道薄膜晶体管、第二P沟道薄膜晶体管、第三P沟道薄膜晶体管、第四P沟道薄膜晶体管、第五P沟道薄膜晶体管、第六P沟道薄膜晶体管、第七P沟道薄膜晶体管、第八P沟道薄膜晶体管；多个电容，包括第一电容、第二电容和第三电容；所述第一输入时钟端口连接第五P沟道薄膜晶体管，所述第二输入时钟端口连接第二电容，所述信号输入端口连接，所述信号输出端口连接第七P沟道薄膜晶体管和第八P沟道薄膜晶体管。本发明的一种发光控制电路及移位寄存器，解决了各级级联电路输出信号波形稳定，提高了可靠性。

主权项

1.一种移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器包括：第一输入时钟端口、第二输入时钟端口、信号输入端口、信号输出端口；多个P沟道薄膜晶体管，包括第一P沟道薄膜晶体管、第二P沟道薄膜晶体管、第三P沟道薄膜晶体管、第四P沟道薄膜晶体管、第五P沟道薄膜晶体管、第六P沟道薄膜晶体管、第七P沟道薄膜晶体管、第八P沟道薄膜晶体管；多个电容，包括第一电容、第二电容和第三电容；其中，所述第一输入时钟端口连接第五P沟道薄膜晶体管，所述第二输入时钟端口连接第二电容，所述信号输入端口连接，所述信号输出端口连接第七P沟道薄膜晶体管和第八P沟道薄膜晶体管；所述移位寄存器还包括恒定高电压信号输入端口和恒定低电压信号输入端口；所述第一P沟道薄膜晶体管的栅极连接信号输入端口，第一源极/漏极连接恒定高电压信号输入端口，第二源极/漏极连接第一节点；所述第二P沟道薄膜晶体管栅极连接第一节点，第一源极/漏极连接恒定低电压信号输入端口，第二源极/漏极连接第二节点，所述第三P沟道薄膜晶体管栅极连接第一输入时钟端口，第一源极/漏极连接信号输入端口，第二源极/漏极连接第四节点；所述第四P沟道薄膜晶体管栅极连接信号输入端，第一源极/漏极连接第二节点，第二源极/漏极连接第三节点；所述第五P沟道薄膜晶体管栅极连接第一输入时钟端口，第一源极/漏极连接第三节点，第二源极/漏极连接恒定高电压信号输入端口；第六P沟道薄膜晶体管栅极连接第二节点，第一源极/漏极连接恒定高电压信号输入端口，第二源极/漏极连接第四节点；所述第七P沟道薄膜晶体管栅极连接第二节点，第一源极/漏极连接恒定高电压信号输入端口，第二源极/漏极连接信号输出端口；第八P沟道薄膜晶体管栅极连接第四节点，第一源极/漏极连接信号输出端口，第二源极/漏极连接恒定低电压信号输入端口。