[发明专利]制造半导体晶片用硅片的杂质源扩散方法有效
| 申请号： | 201610321787.0 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105870002A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郏金鹏;陈诚;王平;王峰;张各海;袁超;张凌鹓 | 申请（专利权）人： | 江苏佑风微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片制造领域，特别是一种制造半导体晶片用硅片的杂质源扩散方法，包括以下步骤，将硅片放入密闭的高温扩散炉中，向高温扩散炉中通入氮气和磷源，使携带磷源的氮气经高温热分解和硅片表面反应，还原出杂质原子并向硅片内部扩散，从而使得硅片上、下表面的杂质浓度和杂质扩散结深得到控制。本发明利用氮气携带磷源进行磷源气态扩散，采用对硅片的上、下表面同时通气的方法，使得硅晶片上、下表面进行扩散形成PN结，有效地控制半导体硅片最外层表面的杂质浓度和杂质扩散结深，以达到硅晶片正反方向击穿电压一致，保证了半导体电压瞬变双向保护器件的晶片的质量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 晶片 硅片 杂质 扩散 方法 | ||
【主权项】：
制造半导体晶片用硅片的杂质源扩散方法，其特征在于，将硅片放入密闭的高温扩散炉中，向高温扩散炉中通入氮气和磷源，使携带磷源的氮气经高温热分解和硅片表面反应，还原出杂质原子并向硅片内部扩散，从而使得硅片上、下表面的杂质浓度和杂质扩散结深得到控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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