[发明专利]用于射频通信系统的静电放电保护电路有效
申请号: | 201610319631.9 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN106158849B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | S·帕萨萨拉希;J·A·塞尔瑟多;R·卡里略-拉姆利兹 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及用于射频通信系统的静电放电保护电路。提供了用于射频电路的静电放电(ESD)保护的装置和方法。在一些配置中,ESD保护电路包括串联地电连接在射频信号引脚与射频地引脚之间的两对以上场效应晶体管(FET)。两对以上FET中的每一对均包括用于提供应对负极性ESD事件的保护的负ESD保护FET以及用于提供应对正极性ESD事件的保护的正ESD保护FET。负ESD保护FET的源极和栅极彼此电连接,并且所述正ESD保护FET的源极和栅极彼此电连接。另外地,负ESD保护FET和正ESD保护FET的漏极彼此电连接。ESD保护电路展现出相对低的电容和平坦的电容对电源特性。 | ||
搜索关键词: | 用于 射频 通信 系统 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】:
集成电路,包括:第一引脚;第二引脚;以及静电放电(ESD)保护电路,其包括串联地连接在所述第一引脚与所述第二引脚之间的两对以上的场效应晶体管(FET),其中所述两对以上的FET中的每一对均包括:负ESD保护FET,其包括彼此电连接的源极和栅极以及漏极;以及正ESD保护FET,其包括彼此电连接的源极和栅极以及漏极,其中所述负ESD保护FET的漏极与所述正ESD保护FET的漏极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的