[发明专利]超低压CMOS阈值带隙基准电路在审
| 申请号： | 201610316383.2 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105955386A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李娅妮;孙亚东;朱樟明;杨银堂;王旭 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超低压CMOS阈值带隙基准电路，包括PTAT产生电路、阈值电压产生电路和启动电路；所述PTAT产生电路包括MP2、MP3、MP4三个PMOS晶体管，Q1、Q2两个PNP型双极型晶体管，OP1一个运算放大器和R1、R2两个电阻；所述阈值电压产生电路包括MP5、MP6、MP7和MP8四个PMOS晶体管，MN1、MN2、MN3和MN4四个NMOS晶体管，OP2一个运算放大器和R3一个电阻；所述启动电路包括MP1、MP9两个PMOS晶体管。本发明中输出基准源相比于传统的带隙基准源，可工作在超低压条件下，从而满足低功耗设计要求，同时电路具有可控的输出电压，且相比于传统的高阶补偿带隙基准源，本发明实现的基准源具有较低的温漂系数，无需特殊的工艺要求，结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 cmos 阈值 基准 电路 | ||
【主权项】：
超低压CMOS阈值带隙基准电路，其特征在于，包括PTAT产生电路、阈值电压产生电路和启动电路；所述PTAT产生电路包括MP2、MP3、MP4三个PMOS晶体管，Q1、Q2两个PNP型双极型晶体管，OP1一个运算放大器和R1、R2两个电阻；所述阈值电压产生电路包括MP5、MP6、MP7和MP8四个PMOS晶体管，MN1、MN2、MN3和MN4四个NMOS晶体管，OP2一个运算放大器和R3一个电阻；所述启动电路包括MP1、MP9两个PMOS晶体管。
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