[发明专利]一种导电接触片的加工工艺在审
申请号: | 201610313481.0 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN105908011A | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 晏肆龙 | 申请(专利权)人: | 万安达精密零组件(深圳)有限公司 |
主分类号: | C22C9/04 | 分类号: | C22C9/04;C22C1/02;B23P15/00;C09D163/00;C09D5/24;C09D5/08;C09D7/12 |
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地址: | 518000 广东省深圳市光*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种导电接触片的加工工艺,其包含如下步骤:(1)熔炼;采用真空感应炉熔炼配方量的原料;所述配方量的原料包含以下合金成份:Cr:1.1%~1.3%,Zr:0.2%~0.4%,Zn:6%~12%,Mg:0.1~0.8%,以及余量的Cu;(2)铸造;(3)热轧;(4)冲裁;(5)整形;(6)抛光和打磨;(7)喷涂涂层;将所述步骤(6)得到的打磨后物料喷涂涂层;所述涂层的配方为:包括按照质量份数计的如下组分:环氧树脂40~60份、硅藻土20~45份、碳纤维2~5份、三氧化二锑6~12份、氢氧化钠2~4份、石英粉5~10份、硫酸镁1~2份、纳米二氧化硅0.5~2.5份、三乙醇胺6~10份、硬脂酸1~2份、甲苯30‑35份、乙酸乙酯20‑40份。 | ||
搜索关键词: | 一种 导电 接触 加工 工艺 | ||
【主权项】:
一种导电接触片的加工工艺,其特征在于,包含如下步骤:(1)熔炼;采用真空感应炉熔炼配方量的原料;具体的,将电解铜进行真空熔炼,熔炼温度控制在1180~1250℃,熔炼时间80~100分钟;加入所述配方量的原料中的Cr、Zr、Zn、Mg合金;所述配方量的原料包含以下合金成份:Cr:1.1%~1.3%,Zr:0.2%~0.4%,Zn:6%~12%,Mg:0.1~0.8%,以及余量的Cu;(2)铸造;(3)热轧;(4)冲裁;将热轧后的板材冲裁成设定规格,得到导电接触片片状原料;(5)整形;将整形模具的凹模和凸模左右方向并列水平放置,使得所述凹模和所述凸模之间具有一间隙,将所述步骤(4)得到的片状原料放置于所述间隙中,朝所述凹模方向移动所述凸模,加工形成规则导电接触片毛坯件;(6)抛光和打磨;将所述步骤(4)得到的导电接触片毛坯件进行抛光和打磨;(7)喷涂涂层;将所述步骤(6)得到的打磨后物料喷涂涂层;所述涂层为导电防腐涂层;所述导电防腐涂层的配方为:包括按照质量份数计的如下组分:环氧树脂40~60份、硅藻土20~45份、碳纤维2~5份、三氧化二锑6~12份、氢氧化钠2~4份、石英粉5~10份、硫酸镁1~2份、纳米二氧化硅0.5~2.5份、三乙醇胺6~10份、硬脂酸1~2份、甲苯30‑35份、乙酸乙酯20‑40份。
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