[发明专利]Cf/HfxZr1-xC-SiC复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610312895.1 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106007759B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘荣军;严春雷;曹英斌;张长瑞;王衍飞;龙宪海;王思青;李斌 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/56;C04B35/571 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Cf/HfxZr1‑xC‑SiC复合材料及其制备方法，该复合材料包括碳纤维预制件、SiC基体和HfxZr1‑xC基体，其中0＜x＜1，所述HfxZr1‑xC基体和SiC基体均匀填充于所述碳纤维预制件的孔隙中。一种制备方法包括以下步骤：(1)制备Cf/HfxZr1‑xC素坯；(2)制备Cf/HfxZr1‑xC‑SiC复合材料。另一种制备方法包括以下步骤：(1)制备Cf/HfxZr1‑xC素坯；(2)制备Cf/HfxZr1‑xC‑C素坯；(3)制备Cf/HfxZr1‑xC‑SiC复合材料。该Cf/HfxZr1‑xC‑SiC复合材料具有成本低、耐烧蚀、力学和抗氧化性能优异等优点，同时制备方法简单、基体含量易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | cf hf sub zr sic 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Cf/HfxZr1‑xC‑SiC复合材料的制备方法，其中0＜x＜1，包括以下步骤：（1）制备Cf/HfxZr1‑xC素坯：（1.1）将碳纤维预制件在HfxZr1‑xC陶瓷先驱体溶液中真空浸渍，裂解，重复浸渍‑裂解过程，得到Cf/HfxZr1‑xC复合材料中间体；所述真空浸渍的时间为3h～12h，真空度为50Pa～500Pa；所述裂解气氛为氩气气氛，温度为600℃～1100℃，裂解时间为0.5h～2h，所述浸渍‑裂解过程重复次数为10次～16次；（1.2）将步骤（1.1）所得Cf/HfxZr1‑xC复合材料中间体在真空条件下热处理，得到Cf/HfxZr1‑xC素坯；所述热处理温度为1200℃～1600℃，时间为1h～3h，真空度为1Pa～100Pa；（2）制备Cf/HfxZr1‑xC‑SiC复合材料：将步骤（1.2）所得的Cf/HfxZr1‑xC素坯在SiC陶瓷先驱体溶液中真空浸渍，裂解，重复浸渍‑裂解过程，得到Cf/HfxZr1‑xC‑SiC复合材料。
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