[发明专利]一种实现多晶硅无污染小颗粒破碎的方法在审
| 申请号： | 201610312596.8 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106000594A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王峰;李鹏廷;姚玉杰 | 申请（专利权）人： | 大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B02C19/18 | 分类号： | B02C19/18 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 266101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现多晶硅无污染小颗粒破碎的方法，该方法通过对破碎过程中污染物防护措施解决破碎污染问题，通过对破碎温度的控制，实现硅料破碎颗粒度的可控性。通过此方法破碎的硅料，其大小均匀且不会对硅料产生污染；此方法破碎多晶硅料操作方便，节省人力；此方法破碎多晶硅料，硅料粒度能够控制到5cm以下，硅料细粉率能够控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 多晶 无污染 颗粒 破碎 方法 | ||
【主权项】：
一种实现多晶硅无污染小颗粒破碎的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤100：将表面洁净的多晶硅料放入可升温设备中，将温度升温至800‑1000℃，并保温0.5‑2h；步骤200：将温度在600‑1000℃之间的多晶硅料转移至去离子水中，冷却5‑10min；步骤300：冷却结束后，从水中取出多晶硅料，多晶硅料表面形成大量的裂纹，裂纹沿晶界延伸至硅锭内部，找出硅料裂纹密度最大的面；步骤400：在洁净空间中，两块硅料裂纹密度最大的面对碰，多晶硅料沿裂纹完全裂开，实现破碎。
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