[发明专利]一种背结晶硅异质结双面太阳电池及制备方法

摘要

一种背结晶硅异质结双面太阳电池及制备方法，其结构从迎光面开始依次为：迎光面栅线状电极、高透过率减反射薄膜、重掺杂晶体硅背场层、硅片、本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层，背光面栅线状电极。先进行硅片的制绒清洗，然后依次制备重掺杂晶体硅背场层、高透过率减反射薄膜、迎光面栅线状电极；硅片的背光面再次清洗，再制备本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层、背光面栅线状电极制备。相对于双面异质结HIT结构，本发明可增大太阳电池的短路电流，获得更高转换效率，减少了至少一半甚至全部ITO用量，减少了部分银用量，与现行晶体硅太阳电池产线技术兼容，减少了设备成本。

主权项

一种背结晶硅异质结双面太阳电池，其特征是其结构从迎光面开始依次为：迎光面栅线状电极、高透过率减反射薄膜、重掺杂晶体硅背场层、硅片、本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层，背光面栅线状电极。