[发明专利]一种3D周围栅极MOS管的制备方法在审
| 申请号： | 201610310451.4 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105870192A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 田武;江宁 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种3D周围栅极MOS管的制备方法，包括步骤：在硅衬底上形成被浅沟槽隔离结构隔离的N型阱与P型阱；分别在N阱区之上以及P阱区之上进行硅纳米线生长，以分别形成NPN纳米线和PNP纳米线；继续沉积氧化隔离层并进行平坦化处理后，去掉位于中间部分的氧化隔离层；依次进行栅氧化层和多晶硅的沉积，并刻蚀掉位于NPN纳米线与PNP纳米线之间的多晶硅后，沉积氧化隔离层；去除部分氧化隔离层，以将覆盖在NPN纳米线与PNP纳米线之上的部分多晶硅予以暴露，并将暴露的多晶硅予以去除；再次沉积氧化隔离层后，进行源极、漏极以及栅极的制备，以形成MOS管。该方法操作简便，提高了栅极对沟道的控制能力并改善了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 周围 栅极 mos 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种3D周围栅极MOS管的制备方法，其特征在于，所述方法包括步骤：S1，在硅衬底上形成一N型阱、一P型阱以及一浅沟隔离，所述浅沟隔离将所述N型阱与所述P型阱隔离；S2，分别在NMOS硅纳米线生长位置处以及PMOS硅纳米线生长位置处进行硅纳米线生长；S3，沉积氧化隔离层并进行处理后，对所述MOS管的顶部进行平坦化处理；S4，去掉NMOS和PMOS中间的所述氧化隔离层；S5，依次进行栅氧化层和多晶硅的沉积后，刻蚀掉位于NMOS和PMOS之间的所述多晶硅；S6，继续沉积氧化隔离层后，并将该氧化隔离层刻蚀到栅极的边缘后，去除露出的多晶硅；S7，再次沉积一氧化隔离层后，继续源极、漏极以及栅极的制备。
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