[发明专利]MOS电容器泄漏检测测试结构以及MOS电容器泄漏检测方法有效
| 申请号： | 201610307223.1 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105810665B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS电容器泄漏检测测试结构以及MOS电容器泄漏检测方法。根据本发明的MOS电容器泄漏检测测试结构包括:多个单元测试结构，其中每个单元测试结构包括第一导电类型的衬底、布置在衬底中的第二导电类型的第一阱布置在所述深阱中的第一导电类型的第二阱；其中第一阱和第二阱203通过各自表面的掺杂区域共同连接至第一电源电压，衬底通过衬底表面掺杂区域连接至第二电源电压；而且，所述多个单元测试结构中的每个单元测试结构的第二导电类型的第一阱通过与连接至第一电源电压的掺杂区域不同的表面掺杂区域连接至相应的测试焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电容器 泄漏 检测 测试 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS电容器泄漏检测测试结构，其特征在于包括：多个单元测试结构，其中每个单元测试结构包括第一导电类型的衬底、布置在衬底中的第二导电类型的第一阱、布置在深阱中的第一导电类型的第二阱；其中第一阱和第二阱通过各自表面的掺杂区域共同连接至第一电源电压，衬底通过衬底表面掺杂区域连接至第二电源电压；而且，所述多个单元测试结构中的每个单元测试结构的的第二导电类型的第一阱通过与连接至第一电源电压的掺杂区域不同的表面掺杂区域连接至相应的测试焊盘。
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