[发明专利]一种钕铁硼磁体及其制备方法有效
| 申请号： | 201610305312.2 | 申请日： | 2016-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN105761861B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 毛华云;蔡报贵;刘路军;张锦红 | 申请（专利权）人： | 江西金力永磁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 341000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钕铁硼磁体，包括钕铁硼磁体毛坯和复合在其表面的RTMH合金层；所述R选自稀土元素中的一种或多种；所述T为Fe和/或Co；所述M选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Pt、Au、Pb和Bi中的一种或多种；所述H为氢元素。本发明采用在钕铁硼磁体表面涂覆RTMH合金层，不仅在磁体表面形成合金薄膜层，而且接界处能够产生晶界扩散渗透，使得磁体的矫顽力得到明显提高，又能保证磁体原有的剩磁和最大磁能积不发生明显的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钕铁硼磁体，其特征在于，包括钕铁硼磁体毛坯和复合在其表面的RTMH合金层；所述钕铁硼磁体为热处理后的磁体产品；所述钕铁硼磁体为复合型钕铁硼磁体，所述钕铁硼磁体毛坯和RTMH合金层的接界处具有扩散渗透层；所述R选自稀土元素中的一种或多种；所述T为Fe和/或Co；所述M选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Pt、Au、Pb和Bi中的一种或多种；所述H为氢元素；所述RTMH合金层的质量占所述钕铁硼磁体总质量的比例为小于或等于5％；所述RTMH合金层中包括：R 50～100重量份；T 小于或等于44重量份；M 小于或等于49重量份；H 小于或等于2重量份；所述钕铁硼磁体毛坯中各成分按质量百分比组成，包括：Pr‑Nd：28％～33％；Dy：0～10％；Tb：0～10％；Nb：0～5％；B：0.5％～2.0％；Al：0～3.0％；Cu：0～1％；Co：0～3％；Ga：0～2％；Gd：0～2％；Ho：0～2％；Zr：0～2％；余量为Fe；所述钕铁硼磁体毛坯的成分中，还包括其他稀土元素中的一种或多种。
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