[发明专利]基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统在审
申请号: | 201610302697.7 | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN105758626A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 关宝璐;杨嘉炜;潘冠中;刘振扬;李鹏涛 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | G01M11/02 | 分类号: | G01M11/02 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张慧 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统,属于半导体光电子技术领域。包括:半导体激光器、第一3dB耦合器、延时多模光纤、声光移频器、第二3dB耦合器、光电探测器和频谱仪组成;半导体激光器输出端口为FC/PC的光纤接口,通过法兰盘将半导体激光器与第一3dB耦合器的输入端口相连接;第一3dB耦合器输出为两路,一路通过法兰盘连接延时多模光纤,另一路通过法兰盘连接声光移频器;第二3dB耦合器把延时多模光纤的输出与声光移频器的输出合为一路;第二3dB耦合器的输出端连接光电探测器,光电探测器的输出端使用BNC射频线与频谱仪相连接。可测量852nm半导体激光器的线宽,保证测试系统的精确度。 | ||
搜索关键词: | 基于 延时 外差 测量 852 nm 半导体激光器 超窄线宽 测试 系统 | ||
【主权项】:
一种852nm窄线宽半导体激光器线宽测试系统,其特征在于,主要包括:半导体激光器(1)、第一3dB耦合器(2)、多模延时光纤(3)、声光移频器(4)、第二3dB耦合器(5)、光电探测器(6)和频谱仪(7)组成;半导体激光器输出端口为FC/PC的光纤接口,通过法兰盘将半导体激光器与第一3dB耦合器的输入端口相连接;第一3dB耦合器输出为两路,一路通过法兰盘连接延时多模光纤,另一路通过法兰盘连接声光移频器;第二3dB耦合器把多模延时光纤的输出与声光移频器的输出合为一路;第二3dB耦合器的输出端连接光电探测器,光电探测器的输出端使用BNC射频线与频谱仪相连接。
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