[发明专利]低噪声放大器及射频终端

摘要

一种低噪声放大器及射频终端，低噪声放大器包括：第一NMOS晶体管，其栅极直接或者间接地耦接低噪声放大器的输入端，其源极直接或者间接地接地；第一PMOS晶体管，其源极耦接电源，其栅极耦接第一NMOS晶体管的漏极，其漏极经由第一电感耦接第一NMOS晶体管的漏极，其漏极直接或者间接地耦接低噪声放大器的输出端；第一电容，其第一端耦接第一NMOS晶体管的漏极，其第二端耦接第一PMOS晶体管的栅极；第二电感，其第一端耦接第一PMOS晶体管的栅极，其第二端接地。本专利方案可以改善低噪声放大器的输出与输入之间的线性关系，并有利于低电压应用，同时可以改善级间匹配特性，具有较优的噪声性能。

主权项

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极直接或者间接地耦接所述低噪声放大器的输入端，所述第一NMOS晶体管的源极直接或者间接地接地；第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极耦接电源，所述第一PMOS晶体管的栅极耦接所述第一NMOS晶体管的漏极，所述第一PMOS晶体管的漏极经由第一电感耦接所述第一NMOS晶体管的漏极，所述第一PMOS晶体管的漏极直接或者间接地耦接所述低噪声放大器的输出端；第一电容，所述第一电容的第一端耦接所述第一NMOS晶体管的漏极，所述第一电容的第二端耦接所述第一PMOS晶体管的栅极；第二电感，所述第二电感的第一端耦接所述第一PMOS晶体管的栅极，所述第二电感的第二端接地；所述第一电容、所述第二电感、所述第一电感、所述第一PMOS晶体管的栅漏电容和所述第一PMOS晶体管的栅源电容形成陷波滤波器，用于隔离所述低噪声放大器的工作频率。