[发明专利]一种变掺杂结终端制备方法

摘要

本发明公开了一种变掺杂结终端制备方法，通过在介质层表面加工出蚀刻阻挡层，形成了阶梯状介质形貌，再通过离子注入形成了渐变结构的结终端。本发明通过严格控制两层介质的蚀刻速率比，实现了台阶高度的精准控制，避免了由蚀刻速率漂移引起的注入介质膜厚变化。所实现的结终端各区域注入剂量可以得到精确的控制，并减少了器件加工中离子注入的次数。

主权项

1.一种变掺杂结终端制备方法，其特征在于：包括以下的步骤：S1：在碳化硅外延层(1)上生长第一介质层(2)；S2：在第一介质层(2)上依次形成了N层单台阶状的介质层，N为正整数；其中第1层单台阶状的介质层通过以下步骤得到：在第一介质层(2)上生长第二介质层(3)，在第二介质层(3)表面加工出第一蚀刻阻挡层(4)，并通过蚀刻的方法去除部分第一蚀刻阻挡层(4)，未被去除的第一蚀刻阻挡层(4)仍然覆盖着第二介质层(3)，然后通过蚀刻的方法去除第二介质层(3)中未被第一蚀刻阻挡层(4)覆盖的区域，保留第二介质层(3)中被第一蚀刻阻挡层(4)覆盖的区域，最后去除第一蚀刻阻挡层(4)，形成第1层单台阶状的介质层，从而形成第1离子注入区；其中第i层单台阶状的介质层通过以下步骤得到，1

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