[发明专利]一种非晶FeTiO/SiO2/p-Si异质结构材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610298979.4 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105845315A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王晓姹 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01F10/187 | 分类号： | H01F10/187;H01F41/14;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种非晶FeTiO/SiO2/p‑Si异质结构材料，由p‑Si薄膜层、SiO2薄膜层和非晶FeTiO薄膜层组成并形成异质叠层结构FeTiO/SiO2/p‑Si，各薄膜层的厚度分别为p‑Si薄膜层330μm、SiO2薄膜层2nm、非晶FeTiO薄膜层350nm；采用超高真空三靶共沉积磁控溅射镀膜机制备；用于半导体自旋电子学器件，包括磁场控制的开关、磁场敏感器和自旋二极管。本发明的优点：采用溅射法制备，靶材选择简单和靶材使用率较高，在工业化生产上具有明显成本和技术优势；异质结构材料具有较高的磁电阻效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fetio sio sub si 结构 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶FeTiO/SiO2/p‑Si异质结构材料，其特征在于：由p‑Si薄膜层、SiO2薄膜层和非晶FeTiO薄膜层组成并形成异质叠层结构FeTiO/SiO2/p‑Si，各薄膜层的厚度分别为p‑Si薄膜层330μm、SiO2薄膜层2nm、非晶FeTiO薄膜层350nm。
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