[发明专利]一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法在审
| 申请号： | 201610298900.8 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105755538A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈健;孙继飞;何秋湘;李京伟;班伯源 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法。该制备方法包括：选择合适的冶金多晶硅料，要求B<1ppmw,P<1ppmw,B/P重量比为1:0.5～1:3，金属<1ppmw，电阻率高于0.5Ω·cm,在冶金多晶硅料中掺入微量锡，锡的含量为1～200ppmw，然后在保护气氛下，生长掺锡的冶金多晶硅铸锭。本发明方法简单，制备的掺锡冶金多晶硅铸锭少子寿命比未掺锡的冶金多晶硅铸锭少子寿命显著提高，也比相同条件下用化学法原生多晶硅制备的常规P型和化学法原生多晶硅掺锡P型多晶硅铸锭工艺简化，成本降低。掺锡冶金多晶硅铸锭生产方法与常规铸锭工艺兼容，成本低，实用性强，适用于制造低成本，高质量的多晶硅太阳电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 多晶 铸锭 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1) 选择合适的冶金多晶硅料为基础原料，要求B<1ppmw, P<1ppmw, B/P重量比为 1:0.5 ～ 1:3，金属<1ppmw，电阻率高于0.5 Ω·cm,如果冶金多晶硅原料的电阻率低于0.5 Ω·cm, 可以通过调整掺入适当的B，P元素补偿来增加电阻率；(2)在冶金多晶硅原料中掺入锡，初始锡的浓度为1～200ppmw；(3) 将上述混合料放入高纯石墨或者石英坩锅中，在保护气氛下，炉温升至 1420 ～ 1550℃，冶金多晶硅和锡熔融，按常规多晶硅定向凝固生长工艺调整生长参数，生长得到掺锡的冶金多晶硅铸锭，铸锭中锡的浓度为 1～ 200ppmw，整个铸锭的电阻率在发生P/N转型前均高于0.5 Ω·cm，生长得到的掺锡的冶金多晶硅铸锭切开后进行少子寿命测试。
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