[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置有效
| 申请号： | 201610298648.0 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN106129810B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 佐久间仁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有下述效果的半导体装置的制造方法和半导体装置，即，能够形成宽度小的台面条带，而且能够防止在台面条带的左右的槽的周边使衬底裂开。具备下述工序：在半导体衬底之上形成包含有源层的台面条带、和覆盖该台面条带的半导体层的工序；在该半导体层之上形成使该台面条带的左右的该半导体层露出的掩模图案的工序；各向同性蚀刻工序，对从该掩模图案露出的该半导体层实施各向同性蚀刻，在该半导体层形成剖面形状为圆弧状的凹陷；以及各向异性蚀刻工序，在该各向同性蚀刻工序后，对从该掩模图案露出的该半导体层实施各向异性蚀刻，将蚀刻进行至该半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备下述工序：在半导体衬底之上形成包含有源层的台面条带、和覆盖所述台面条带的半导体层的工序；掩模工序，在所述半导体层之上形成使所述台面条带的左右的所述半导体层露出的掩模图案；各向同性蚀刻工序，对从所述掩模图案露出的所述半导体层实施各向同性蚀刻，在所述半导体层形成剖面形状为圆弧状的凹陷；以及各向异性蚀刻工序，在所述各向同性蚀刻工序后，对从所述掩模图案露出的所述半导体层实施各向异性蚀刻，在维持所述圆弧状的凹陷的同时将蚀刻进行至所述半导体衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610298648.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于场相关畸变模型的标定场设计及标定方法
- 下一篇：空穴传输材料
