[发明专利]一种单芯片双向IGBT模块的封装结构

摘要

本发明涉及一种单芯片双向IGBT模块的封装结构，包括单芯片双向IGBT器件、底部金属板、DBC板和外壳，DBC板平铺于底部金属板的上方，且与底部金属板的上表面固定连接；外壳沿DBC板的外围设置，与DBC板围成封闭结构；单芯片双向IGBT器件设于所述DBC板上，其单芯片双向IGBT器件的上表面设有G1极和E1极，下表面设有G2极和E2极，DBC板的上表面设有与G2极连接的G1覆铜区、与G2极连接的G2覆铜区、与E1极连接的E1覆铜区和与E2极连接的E2覆铜区，G1覆铜区、G2覆铜区、E1覆铜区、E2覆铜区均设有外部引脚，外部引脚的上端从外壳的顶部穿出。该封装结构简单合理，且提高了模块的功率密度。

主权项

一种单芯片双向IGBT模块的封装结构，其特征在于：包括单芯片双向IGBT器件、底部金属板、DBC板和外壳，所述DBC板平铺于所述底部金属板的上方，且与所述底部金属板的上表面固定连接；所述外壳沿所述DBC板的外围设置，与所述DBC板围成封闭结构；所述单芯片双向IGBT器件设于所述DBC板上，且所述单芯片双向IGBT器件的上表面设有G1极和E1极，下表面设有G2极和E2极；所述DBC板的上表面设有与G1极连接的G1覆铜区、与G2极连接的G2覆铜区、与E1极连接的E1覆铜区和与E2极连接的E2覆铜区，所述G1覆铜区、所述G2覆铜区、所述E1覆铜区和所述E2覆铜区均设有外部引脚，且所述外部引脚的上端从所述外壳的顶部穿出。