[发明专利]一种四元系LED芯片的生产工艺

摘要

一种四元系LED芯片的生产工艺，属于LED芯片制造技术领域。在负电极的表面粘附蓝膜，对芯片半制品进行各元胞等间距半分割后，将芯片半制品从蓝膜上分离出来后，对各元胞进行光电参数测试，然后再在负电极的表面粘附蓝膜，进行各元胞等间距全分割，经扩张处理、检测晶粒正电极外观后，翻转具有蓝膜的芯片半制品，使半制品的负电极向上，对负电极外观进行检测，再次翻转，正电极向上进行外观复检。本发明无需进行翻转可进行扩张，节省蓝膜用量，利于降低成本；在整个制作工艺过程中，人工引入较少，节约了人力资本，明显地降低因人工导致的误挑、少挑、污染等问题；从而大大提高成品的优良率。

主权项

1.一种四元系LED芯片的生产工艺，先在GaAs 基板一侧面外延生长形成具有发光层的外延片，然后在外延片的两侧分别制作正电极和负电极，取得具有多元胞的芯片半制品；其特征在于还包括以下步骤：1）把所述芯片半制品正电极向上，在负电极的表面粘附蓝膜，然后从上至下对芯片半制品进行各元胞等间距半分割；2）将芯片半制品从蓝膜上分离出来后，对各元胞进行光电参数测试；3）将芯片半制品正电极向上，再在负电极的表面粘附蓝膜，然后从上至下对芯片半制品进行各元胞等间距全分割，直至分割到蓝膜上方为止；4）将具有蓝膜的芯片半制品进行扩张处理；5）将具有蓝膜的芯片半制品进行晶粒外观检测机扫描辨识，确认每颗晶粒的坐标，并设定刮边排数，采用晶粒外观检测设备进行自动刮边、检测晶粒正电极外观；6）翻转具有蓝膜的芯片半制品，使半制品的负电极向上，对负电极外观进行检测；7）再次翻转，使正电极向上人工进行外观复检。