[发明专利]Cu3P纳米线负极的制备方法、用该方法制得的Cu3P纳米线负极及其应用有效

专利信息
申请号: 201610290556.8 申请日: 2016-05-05
公开(公告)号: CN105845932B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 陈煜;范谋平 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01M4/58 分类号: H01M4/58;H01M4/136;H01M4/1397;H01M10/054
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 仇波
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种Cu3P纳米线负极的制备方法、用该方法制得的Cu3P纳米线负极及其应用,它包括以下步骤:(a)将铜箔一面浸入过硫酸盐和氢氧化物的混合水溶液中进行反应,使其一侧表面形成氢氧化铜纳米线;(b)将过量的次磷酸盐置于管式炉中部,同时将一侧表面形成氢氧化铜纳米线的铜箔置于其下游,用惰性气体排出管式炉中空气后进行加热,使产生的磷化氢气体与一侧表面形成氢氧化铜纳米线的铜箔反应即可得基于铜箔基底原位、单侧、大规模生长的Cu3P纳米线负极材料。该材料可以直接作为钠离子半、全电池的负极材料,不仅工艺步骤简单、成本较低,而且利于放大生产和大规模推广。
搜索关键词: cu sub 纳米 负极 制备 方法 法制 及其 应用
【主权项】:
1.一种Cu3P纳米线负极的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:(a)将铜箔一面浸入过硫酸盐和氢氧化物的混合水溶液中进行反应,使其一侧表面形成氢氧化铜纳米线;(b)将过量的次磷酸盐置于管式炉中部,同时将一侧表面形成氢氧化铜纳米线的铜箔置于其下游,用惰性气体排出管式炉中空气后进行加热,使产生的磷化氢气体与一侧表面形成氢氧化铜纳米线的铜箔反应即可;所述管式炉加热温度为270~500℃,时间为30~120 min;置于所述次磷酸盐下游的所述铜箔所处温度为25~100℃。
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