[发明专利]半导体集成电路有效

专利信息
申请号: 201610289260.4 申请日: 2011-03-21
公开(公告)号: CN105811517B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 鹿岛恭一;福岛佳孝;小野正宽;平野哲郎 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种半导体集成电路。半导体集成电路包括端子、成二极管连接的MOS晶体管、保护二极管电路、电池放电用MOS晶体管、电池电压检测控制电路、以及过电压保护用箝位电路。电池防电涌MOS晶体管分别连接在端子中的相邻的各端子之间。成二极管连接的MOS晶体管分别连接在端子中相邻的各端子之间。从而,在相邻的端子之间施加了浪涌电压的情况下,能保护连接在相邻的端子之间的电路元件使其不受到因浪涌电压导致的静电破坏。
搜索关键词: 半导体 集成电路
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,包括:多个端子,其排列成一线,包括至少三个端子,所述至少三个端子形成相邻端子对,所述端子包括被放置在该线中的奇数位置处的奇数端子以及被放置在该线中的偶数位置处的偶数端子;多个开关元件,所述多个开关元件中的每一个连接在相应的相邻端子对的相应端子之间;电池电压检测控制电路,其检测每个相邻端子对的端子之间的电压,所述电池电压检测控制电路根据相应的相邻端子对的端子之间的电压控制每一个相应开关元件的通/断,以使每个相邻端子对之间的电压彼此均衡;串联连接的多个第一过电压保护元件,每一个所述第一过电压保护元件连接在相应的相邻的一对端子之间,保护相应的开关元件使其不受到施加在相应的相邻的该对端子之间的过电压的影响;多个第二过电压保护元件,所述第二过电压保护元件中的每一个连接在相应的相邻的一对偶数编号的端子之间;以及多个保护二极管电路,每一个保护二极管电路仅连接到相应的奇数编号的端子。
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