[发明专利]一种高导电性石墨烯粉体的制备技术方法有效

专利信息
申请号: 201610286981.X 申请日: 2016-04-29
公开(公告)号: CN105752977B 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 王云峰 申请(专利权)人: 江苏超电新能源科技发展有限公司
主分类号: C01B32/19 分类号: C01B32/19
代理公司: 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)11400 代理人: 高之波,邬玥
地址: 214000 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种高导电性石墨烯粉体的制备方法,包括以下步骤S1、将原料级石墨分散于含有插层剂与氧化剂中搅拌均匀;S2、置于压力容器中通入惰性气体保压搅拌;S3、通过纯化操作后提取上层插层剂,并对下层产物采用机械方式剥离出单层氧化石墨烯溶液;S4、在粉体干燥工艺干燥处理后,将单层氧化石墨烯粉体重新溶解于溶剂中,以形成低浓度的单层氧化石墨烯溶液;S5、加入还原剂,在0℃至50℃搅拌反应一定时间,得到单层石墨烯溶液;S6、将单层石墨烯溶液通过粉体干燥工艺干燥处理及热处理后得到该高导电性石墨烯粉体。本发明的优点在于所制备的石墨烯结构缺陷少,导电性好,且产率高;制备过程操作简便,成本低廉,易于规模化生产。
搜索关键词: 一种 导电性 石墨 烯粉体 制备 技术 方法
【主权项】:
一种高导电性石墨烯粉体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、将原料级石墨分散于含有插层剂与氧化剂的混合溶液中,搅拌均匀;S2、置于压力容器中保压搅拌一定时间,并在保压搅拌过程中通入惰性气体;S3、通过纯化操作后提取上层插层剂,并对下层产物采用机械方式剥离出单层氧化石墨烯溶液;S4、将单层氧化石墨烯溶液通过粉体干燥工艺干燥处理后,将单层氧化石墨烯粉体重新溶解于溶剂中,以形成低浓度的单层氧化石墨烯溶液;S5、加入还原剂,在0℃至50℃搅拌反应一定时间,得到单层石墨烯溶液;S6、将单层石墨烯溶液通过粉体干燥工艺干燥处理及热处理后得到该高导性电石墨烯粉体;所述步骤S1中的插层剂为浓硫酸、浓磷酸、浓硝酸、浓盐酸、高氯酸、高碘酸、冰醋酸、三氟甲磺酸中的一种或者几种任意比例的混合物;所述氧化剂为高锰酸钠、高锰酸锂、锰酸钾、高铁酸钾、高铁酸钠、双氧水、高碘酸钠、重铬酸钠、高氯酸钾、氯酸钾、次氯酸钠、过硼酸钾、三氧化铬、过硫酸铵、五氧化二磷中的一种或者几种任意比例的混合物;所述步骤S1中的反应温度为‑20℃~5℃,插层剂与原料级石墨的质量比为1:3~1:30,氧化剂与石墨的质量比为0.1:1~1:1。
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