[发明专利]一种VS2纳米材料的制备方法及应用

摘要

本发明提供了一种VS₂纳米材料的制备方法及应用，将钒源和硫源物质以一定配比置于两个瓷舟中，排尽空气后，使管式气氛炉处于‑1～0MPa状态下。然后以5～10℃/min的升温速率升温至300～1000℃，保温0.5～5h。反应结束后，在持续通惰性气体的条件下进行冷却。最后，将冷却后的样品洗涤干净、收集、干燥，即可得到VS₂纳米材料。该方法工艺简单易控，制备的VS₂纳米材料化学组成均一，纯度较高，且具有特定的纳米片自组装结构，其作为锂/钠离子电池电极材料时表现出了优异的电化学性能。此外，该方法原料廉价易得，成本低，产率高，无需后期处理，对环境友好，可以适合大规模生产。

主权项

1.一种VS₂纳米材料的制备方法，其特征在于，将摩尔比为1:8～1:12的钒源和硫源物质分别置于两个瓷舟中，并将两个瓷舟置于管式气氛炉中进行煅烧，冷却后洗涤干净、收集、干燥即可；所述煅烧是在密封且在惰性气体内进行；煅烧过程的条件为：以5～10℃/min的升温速率升温至300～1000℃，然后保温0.5～5h；煅烧保温阶段控制管内气压为0～0.05Mpa；所述钒源为偏钒酸钠，硫源为硫代乙酰胺；保温阶段结束后，立刻以500～1000sccm气流不断地通惰性气体，以排出保温期间产生的硫蒸汽并使冷却过程在持续通惰性气体的条件下进行。