[发明专利]一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610283114.0 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN105842981B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 莫远东;弓满锋;莫德云;王小卉 | 申请（专利权）人： | 岭南师范学院 |
| 主分类号： | G03F1/80 | 分类号： | G03F1/80;G03F1/68 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张月光;林伟斌 |
| 地址： | 524048 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法，所述方法具体包括如下步骤：S1：在基板上涂覆第一层光刻胶，在所述光刻胶上覆盖一层金属箔片，在所述金属箔片上涂覆第二层光刻胶；S2：对第一、二层光刻胶进行前烘处理，借助掩膜板对第二层光刻胶进行曝光和显影；对第二层光刻胶进行后烘处理；S3：对所述金属箔片进行蚀刻，然后对第一层光刻胶进行曝光和显影，再对第一层光刻胶进行后烘处理即得精密芯片模具光刻掩膜。本发明提供的制备方法制备得到的光刻掩膜的最低线宽不低于20um，光刻胶厚度可以达到200um～300um，所得光刻掩膜能满足精密芯片加工制作的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 精密 芯片 模具 光刻 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低成本精密芯片模具光刻掩膜的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤：/nS1：在基板上涂覆第一层光刻胶，在所述光刻胶上覆盖一层金属箔片，在所述金属箔片上涂覆第二层光刻胶；/nS2：对第一、二层光刻胶进行前烘处理，借助掩膜板对第二层光刻胶进行曝光和显影；对第二层光刻胶进行后烘处理；/nS3：对所述金属箔片进行蚀刻，然后对第一层光刻胶进行曝光和显影，再对第一层光刻胶进行后烘处理即得精密芯片模具光刻掩膜；/n所述光刻胶为市售的PR-2000SA系列正性光刻胶；所述光刻掩膜的厚度为100μm～300μm。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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