[发明专利]半导体器件及其操作方法

摘要

一种半导体器件可以包括：衬底；导电图案，在衬底上层叠为彼此间隔开；接触插塞，接触各个导电图案；以及穿透导电图案的第一组的第一狭缝绝缘层和第一组的第二狭缝绝缘层。衬底可以包括单元区和从单元区沿第一方向延伸的接触区。导电图案可以形成阶梯结构。第一组的第一狭缝绝缘层可以关于介于其间的接触插塞中的任意一个而沿第二方向彼此相对。在接触区中沿第一方向延伸的第一组的第二狭缝绝缘层可以关于介于其间的第一组的第一狭缝绝缘层和接触插塞而沿第二方向彼此相对。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区和从单元区沿第一方向延伸的接触区；导电图案，在衬底上层叠为彼此间隔开，并且在接触区中形成阶梯结构；接触插塞，接触各个导电图案并且沿导电图案层叠的方向延伸；第一组的第一狭缝绝缘层，被设置为关于介于其间的接触插塞中的任意一个而沿与第一方向交叉的第二方向彼此相对，第一组的第一狭缝绝缘层穿透导电图案；以及第一组的第二狭缝绝缘层，在接触区中沿第一方向延伸以穿透导电图案，并且被设置为关于介于其间的第一组的第一狭缝绝缘层和接触插塞而沿第二方向彼此相对。