[发明专利]一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构及制备方法

摘要

本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构和制备方法。将N或P型晶体硅片双面抛光，之后双面制备氧化硅层或者是氧化铝层；然后双面制备金或者银纳米粒子，然后背面制备非晶硅的N(P)型层，受光面制备准晶态P(N)型硅薄膜，P(N)型硅薄膜上制备70nm厚的ITO薄膜和栅线电极，背面制备银薄膜。本发明的益处是：钝化膜包裹的金属纳米粒子形成载流子隧穿通道的作用，提高了载流子隧穿效果，可以整体提高晶体硅太阳电池的填充因子，同时金属纳米粒子的表面等离子体效应起到了减反射的效果。

主权项

一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构，包括作为基底的P型硅片或N型硅片，其特征在于：以P型硅片或N型硅片作为中间层，在受光面方向从下至上依次为介质膜、金属纳米粒子、N型准晶态硅薄膜或P型准晶态硅薄膜、ITO薄膜和ITO薄膜上的栅线电极；在背面方向从上至下依次为介质膜、金属纳米粒子、P型非晶硅薄膜或N型非晶硅薄膜、银薄膜。