[发明专利]缓冲层诱导生长的高性能的VO2热敏薄膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种缓冲层诱导生长的高性能的VO₂热敏薄膜，包括：衬底层，所述衬底为普通玻璃、石英玻璃等；缓冲层，所述缓冲层成分为TiO₂、Al₂O₃、CeO₂、ZrO₂、ZnO、SnO₂或MgO中的一种，所述VO₂热敏薄膜为缓冲层诱导生长的二氧化钒热敏薄膜，所述缓冲层厚度为25 nm～250 nm；所述缓冲层诱导生长的二氧化钒薄膜厚度为25 nm～250 nm；方块电阻为10 kΩ/□～60 kΩ/□；电阻温度系数为‑3%/K～‑5%/K。本发明还提供了上述热敏薄膜的制备方法，其步骤：在衬底上采用化学沉积方法或物理沉积方法制备一个具有锐钛矿结构的TiO₂缓冲层，及在该缓冲层上利用该缓冲层诱导生长的二氧化钒热敏薄膜。该方法操作简单，成本低；且该二氧化钒VO₂薄膜具有薄膜电阻值合适、电阻温度系数（TCR）高的特点。

主权项

一种缓冲层诱导生长的高性能的VO₂热敏薄膜，其特征在于，所述二氧化钒热敏薄膜包括：衬底层，所述衬底为普通玻璃、石英玻璃、单晶硅、Al₂O₃、陶瓷基板；缓冲层，所述缓冲层成分为TiO₂、Al₂O₃、CeO₂、ZrO₂、ZnO、SnO₂或MgO中的一种，其中，二氧化钒热敏薄膜，所述二氧化钒热敏薄膜为缓冲层诱导生长的二氧化钒热敏薄膜，所述缓冲层的厚度为25 nm～250 nm，所述缓冲层诱导生长的二氧化钒薄膜厚度为25 nm～250 nm。