[发明专利]一种基于碳化硅衬底的LED照明结构有效
| 申请号： | 201610276450.2 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105895760B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 谢文浩;王华;黄映仪;张剑平 | 申请（专利权）人： | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京君华知识产权代理事务所(普通合伙) 11515 | 代理人： | 李海峰 |
| 地址： | 528226 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种基于碳化硅衬底的LED照明结构，包括：由碳化硅衬底封装的芯片组件和LED结构组件；所述芯片组件包括碳化硅衬底、设于碳化硅衬底下方的N电极、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极；所述外延层包括AlN缓冲层、及沉积于该缓冲层上的AlN晶体、n型GaN接触层、InGaN/GaN 多量子阱发光层以及p型GaN接触层。通过以碳化硅为衬底的复合结构设置使LED灯亮度增强，同时保证了其稳定性和发光质量，提高了使用时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 碳化硅 衬底 led 照明 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基于碳化硅衬底的LED照明结构，其特征在于，包括：由碳化硅衬底封装的芯片组件和LED结构组件；所述芯片组件包括碳化硅衬底、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极和N电极；所述外延层包括AlN缓冲层、及沉积于该缓冲层上的AlN晶体、n型GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层以及p型GaN接触层；所述外延层的生长是在不同温度下依次生成，形成复合结构；所述LED结构组件包括用于固定芯片组件的支架、焊线和支架电极；所述N电极形成于N型GaN接触层；所述p型GaN接触层上端具备透明导电层；所述P电极位于透明导电层上方；所述透明导电层为ITO层或ZAO层。
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