[发明专利]一种碳化硅高压MPS二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201610275558.X | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN105931950A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启;张宇锋 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅高压MPS二极管的制造方法，其包括如下步骤：在n型外延材料上制作掩膜图形层；刻蚀SiC，在没有掩膜的地方刻蚀出SiC凹槽；进行Al离子注入，在SiC凹槽处Al直接注入到了SiC内，退火后形成掺杂；用HF酸或BOE腐蚀去掉掩膜，并对SiC表面进行清洗；用热氧化的方法生长一层薄的氧化层，再用HF或BOE腐蚀掉氧化层；放入外延炉中进行p型二次外延生长；用CMP方法进行抛光，把n层台面上的p层全部去掉，并且也去掉部分的n层；背面淀积金属，进行快速退火形成欧姆接触；在表面淀积金属，形成肖特基接触，并进行光刻腐蚀形成图形；淀积并形成电极金属。本方法利用二次外延生长的特点和凹槽的形貌，解决凹槽填充的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 高压 mps 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅高压MPS二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：1）在n型外延材料上制作掩膜图形层；2）刻蚀SiC，在没有掩膜的地方刻蚀出SiC凹槽；3）进行Al离子注入，在所述SiC凹槽处Al直接注入到了SiC内，退火后形成掺杂；4）用HF酸或BOE腐蚀去掉掩膜，并对SiC表面进行清洗；5）用热氧化的方法生长一层薄的氧化层，再用HF或BOE腐蚀掉氧化层；6）放入外延炉中进行p型二次外延生长；7）用CMP方法进行抛光，把n层台面上的p层全部去掉，并且也去掉部分的n层；8）背面淀积金属，进行快速退火形成欧姆接触；9）在表面淀积金属，形成肖特基接触，并进行光刻腐蚀形成图形；10）淀积并形成电极金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
