[发明专利]一种基于安培力的新型微弱磁场传感器及检测方法

摘要

本发明公开了一种基于安培力的新型微弱磁场传感器及检测方法。环形器的两个输出端分别与2×2保偏光纤耦合器和光谱分析仪相连，2×2保偏光纤耦合器输出端分别与第一保偏光纤、第二保偏光纤相连接，第一保偏光纤和第二保偏光纤通过90°焊接，第一保偏光纤中的一部分作为磁场感应区，作为磁场感应区中的第一保偏光纤和通电电极通过柔性材料包裹在一起，柔性材料和通电电极构成感应磁场的结构；通电电极受磁场作用产生安培力，间接作用于磁场感应区，保偏光纤产生应力双折射，从而改变干涉光相位差，进而获得磁场的大小。本发明具有制作简单、灵敏度高、成本低、结构和制作工艺简单等优点，提高了可探测的微弱磁场和恶劣环境的抗干扰的能力。

主权项

1.一种基于安培力的新型微弱磁场传感器，包括光源(1)、起偏器(2)、环形器(3)和光谱分析仪(4)，光源(1)与起偏器(2)相连，起偏器(2)与环形器(3)的输入端相连，其特征在于：还包括2×2保偏光纤耦合器(5)、第一保偏光纤(6)、第二保偏光纤(7)、柔性材料(8)和通电电极(9)；环形器(3)的两个输出端分别与2×2保偏光纤耦合器(5)的一个输入端和光谱分析仪(4)相连，2×2保偏光纤耦合器(5)的另一个输入端空置，2×2保偏光纤耦合器(5)的两个输出端分别与第一保偏光纤(6)、第二保偏光纤(7)的一端相连接，第一保偏光纤(6)和第二保偏光纤(7)的另一端通过90°焊接点(10)焊接在一起，从而使得2×2保偏光纤耦合器(5)、第一保偏光纤(6)和第二保偏光纤(7)构成Sagnac环；第一保偏光纤(6)中的一部分作为磁场感应区(11)，作为磁场感应区(11)中的第一保偏光纤(6)和通电电极(9)通过柔性材料(8)包裹在一起，柔性材料(8)和通电电极(9)构成感应磁场的结构。