[发明专利]一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法有效
| 申请号： | 201610271015.0 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105891693B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 任舰;顾晓峰;闫大为 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/28;G01R19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法。该方法首先制作便于分析栅漏电流特性的圆形肖特基二极管结构，对其施加持续的反向应力，测量应力前后的温度依赖电流‑电压曲线；然后通过拟合不同温度下的正向隧穿电流，根据饱和隧穿电流和隧穿参数与温度的关系，外推确定应力前后绝对零度下的器件饱和隧穿电流值和隧穿参数值；最后计算求得应力引起势垒层缺陷密度的变化，实现对GaN基HEMT退化的检测。本发明采用一种简单的方法实现了对应力引起的势垒层缺陷密度的检测，有助于分析GaN基HEMT器件的退化机制和退化过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 电流 拟合 检测 gan hemt 退化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法，其特征在于：该方法首先制作便于分析栅漏电流特性的圆形肖特基二极管结构，对其施加持续的反向应力，测量应力前后的温度依赖电流‑电压曲线；然后通过拟合不同温度下的正向隧穿电流，根据饱和隧穿电流和隧穿参数与温度的关系，外推确定应力前后绝对零度下的器件饱和隧穿电流值和隧穿参数值；最后计算求得应力引起势垒层缺陷密度的变化，实现对GaN基HEMT退化的检测，该方法具体包括以下步骤：步骤1、在GaN基异质结外延片上制作圆形肖特基二极管结构；步骤2、对制备的肖特基二极管进行应力测试，分别获得应力前后的温度依赖电流‑电压曲线；步骤3、结合已有的隧穿电流模型，拟合应力前后不同温度下的正向隧穿电流，获得应力前后不同温度下的饱和隧穿电流和隧穿参数；步骤4、根据饱和隧穿电流和隧穿参数与温度的关系，外推获得绝对零度下的饱和隧穿电流值和隧穿参数值；步骤5、由绝对零度下的饱和隧穿电流值和隧穿参数值，计算求得应力引起的势垒层缺陷密度，实现对GaN基HEMT器件退化的检测。
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