[发明专利]石墨烯场效应管的制备方法及形成的石墨烯场效应管有效
| 申请号： | 201610269687.8 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105914148B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 金智;王少青;毛达诚;史敬元;彭松昂;张大勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/78;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯场效应管的制备方法及形成的石墨烯场效应管，所述方法包括：在衬底上制备或转移石墨烯材料；在所述石墨烯材料上制备源电极及漏电极；采用光学光刻的方式使沟道区的石墨烯材料形成多个石墨烯条带；在所述多个石墨烯条带上沉积高介电常数介质；以所述高介电常数介质为掩膜对所述多个石墨烯条带进行刻蚀，形成石墨烯纳米带；在所述石墨烯纳米带上制备栅电极，形成场效应管。本发明能够获得高开关比的场效应管，同时工艺成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 场效应 制备 方法 形成 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备或转移石墨烯材料；在所述石墨烯材料上制备源电极及漏电极；采用光学光刻的方式使沟道区的石墨烯材料形成多个石墨烯条带；在所述多个石墨烯条带上沉积高介电常数介质；以所述高介电常数介质为掩膜对所述多个石墨烯条带进行刻蚀，形成石墨烯纳米带；在所述石墨烯纳米带上制备栅电极，形成场效应管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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