[发明专利]非化学计量化学气相沉积电介质膜表面钝化方法在审
| 申请号： | 201610269104.1 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105719962A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 兰斯·金;金光勋 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供非化学计量化学气相沉积(CVD)电介质膜表面钝化方法。本发明提供一种用于在电介质膜的CVD中减小膜表面粗糙度的方法。所述方法可包含通过反应物从CVD电介质膜的膜表面移除悬挂键。所述电介质膜可包含出自以下群组中的至少一者：透紫外光氮化硅(UVSIN)、富硅氧化物(SRO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、磷硅酸盐玻璃(PSG)或氧氮化硅(SiON)。所述反应物气体可包含出自以下群组中的至少一者：氨气(NH3)、氢气(H2)、一氧化二氮(N2O)或氧气(O2)。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 计量 沉积 电介质 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在电介质膜的化学气相沉积中减小膜表面粗糙度的方法，其由如下顺序的步骤组成：提供含有顶部表面的晶片；在所述顶部表面执行第一电介质膜的化学气相沉积，其中通过用第一反应物气体原位进行化学气相沉积对所述第一电介质膜的非化学计量膜表面进行钝化，从而移除所述第一电介质膜的膜表面上的悬挂键；直接在所述第一电介质膜的顶部执行第二电介质膜的至少一个后续化学气相沉积；通过用第二反应物气体对所述第二电介质膜的膜表面进行钝化，从而移除所述第二电介质膜的膜表面上的悬挂键；其中通过从先前电介质膜的膜表面移除悬挂键，针对每个电介质膜的每个钝化步骤减小后续膜的表面粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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