[发明专利]光波导半导体器件的工艺方法在审
| 申请号： | 201610268934.2 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105914131A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王辉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光波导半导体器件的工艺方法，包含步骤：第1步，在硅衬底上淀积第一介质膜层；第2步，在第一介质膜层之上利用光刻胶定义出图形；第3步，对第一介质膜层进行刻蚀之后，去除光刻胶；第4步，淀积热氧化层，然后进行化学机械研磨；第5步，淀积第二介质膜层；第6步，在第二介质膜层之上利用光刻胶定义出光刻对准标记区域；第7步，在光刻对准标记区域完成光刻对准标记的制作；第8步，对第二介质膜层进行刻蚀；第9步，重复上述步骤进行介质膜层的反复淀积，最终完成光波导半导体器件的制作。本发明工艺避免因介质膜层沉积造成的光刻对准标记中残留物，从而使得后续层次实现精确对准。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 半导体器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种光波导半导体器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的步骤：第1步，在硅衬底上淀积第一介质膜层；第2步，在第一介质膜层之上利用光刻胶定义出图形；第3步，对第一介质膜层进行刻蚀之后，去除光刻胶；第4步，淀积热氧化层，然后进行化学机械研磨；第5步，淀积第二介质膜层；第6步，在第二介质膜层之上利用光刻胶定义出光刻对准标记区域；第7步，在光刻对准标记区域完成光刻对准标记的制作；第8步，对第二介质膜层进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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