[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种具有高散热性且能够对以热应力为起因的翘曲进行抑制的半导体装置。第1导体层(4)设置在绝缘板(12)的第1面(S1)之上，具有第1体积。第2导体层(2)设置在绝缘板(12)的第2面(S2)之上，具有第2体积。第3导体层(3)设置在绝缘板(12)的第2面(S2)之上，具有第3体积。第3导体层具有比第2导体层厚的安装区域(3M)。第2体积及第3体积之和大于或等于第1体积的70％且小于或等于130％。半导体芯片(1)设置在安装区域(3M)之上。封装部(10)由绝缘体制成，在壳体(9)内将半导体芯片(1)封装。

主权项

1.一种半导体装置，其具有：壳体；外部端子，其安装于所述壳体；绝缘板，其具有第1面和与所述第1面相反的被所述壳体包围的第2面；第1导体层，其设置在所述绝缘板的所述第1面之上，由一种导体材料制成，具有第1体积；第2导体层，其设置在所述绝缘板的所述第2面之上，由所述一种导体材料制成，具有第2体积；以及第3导体层，其与所述第2导体层分离地设置在所述绝缘板的所述第2面之上，由所述一种导体材料制成，具有第3体积，所述第3导体层具有比所述第2导体层厚的安装区域，所述第2体积及所述第3体积之和大于或等于所述第1体积的70％且小于或等于130％，所述半导体装置还具有：半导体芯片，其设置在所述第3导体层的所述安装区域之上；封装部，其由绝缘体制成，在所述壳体内将所述半导体芯片封装；以及配线部，其穿过所述封装部内，将所述外部端子及所述第2导体层中的至少某个与所述半导体芯片短接，所述第3导体层在所述安装区域的外侧具有凹部，所述第3导体层的所述凹部包含狭缝部和多个凹坑部，该多个凹坑部是与所述第3导体层的缘部分离而设置的，该狭缝部将所述多个凹坑部相互连接且延伸至所述第3导体层的缘部。